Samsung инвестирует миллиард долларов для создания 4-нанометрового чипа

Samsung инвестирует миллиард долларов для создания 4-нанометрового чипа

Samsung делает чипы на заводе в Остине, штат Техас. Компания открыла фабрику в 1997 году и с тех пор вложила 16 миллиардов долларов в развитие. В этот раз производитель инвестирует миллиард долларов для перехода к 4-нанометровому техпроцессу.

Как сообщают представители ресурса SamMobile, сегодня Samsung делает 10-нанометровые чипы FinFET. В следующем году компания перейдёт к 7-нанометровому процессу, а к 2020 — к 4-нанометровому. Для этого выделит миллиард долларов.

Samsung инвестирует миллиард долларов для создания 4-нанометрового чипа

Samsung рассказала о старте массового производства 10-нанометровых чипов по технологии FinFET в октябре 2016 года. Новая модель получилась на 30 процентов компактнее 14-нанометрового предшественника и показала 27-процентный прирост производительности. При этом потребление энергии снизилось на 40 процентов.

Пример такого чипа — Exynos 8895. Он находится внутри Galaxy S8 и Galaxy S8+.

Источник

Следующая новость
Предыдущая новость
Последние новости